新浪科技讯 北京时间6月7日下午消息，据国外媒体报道，尔必达总裁阪本幸雄上周五接受媒体采访时表示，该公司计划在中国大陆和台湾建厂，以满足市场需求并减少税收成本。

　　阪本幸雄表示，尔必达必将进军中国市场，该公司最早将于2012年与一家台湾芯片制造商合作到大陆建厂，并希望寻求中国政府的支持。尔必达还将加快其台湾合资公司瑞晶电子第二家工厂的建设进程。

　　阪本幸雄预计，随着电脑销量回升以及新款移动设备对存储芯片需求的增加，尔必达本财年有望实现创纪录的利润和收入。三星电子上月表示，今年将向芯片业务投资89亿美元，约为尔必达的10倍。海力士也表示，将增加预算开支。

　　全球曼氏金融(MF Global)分析师大卫·鲁宾斯坦(David Rubenstein)说:“尔必达将遭遇规模庞大的三星。无论尔必达是否真的具有进攻性，他们也永远成不了第一。由于存在巨大的成本劣势，因此他们只能成为第二或第三。”

　　需求上升

　　DRAM芯片是一种被广泛应用于电脑和手机中的短时存储芯片。美国市场研究公司Gartner上周预测，今年全球DRAM芯片销售额将增加78%。较全球半导体市场27%的销售额增速预期高出两倍。

　　阪本幸雄说:“高性能DRAM的需求正在增加。iPhone中的DRAM使用量明年很可能会翻番。”他还表示，如果芯片价格继续维持在当前的水平，在截至2011年3月的财年内，尔必达的营业利润就将超过1600亿日元(约合18亿美元)，销售额则会达到7000亿日元。这一数据超出分析师的平均预期。

　　控制成本

　　阪本幸雄表示，尽管竞争对手今年将增加投资，但尔必达并不准备效仿这一做法，仍将把本财年的预算维持在1150亿日元的水平。相反，该公司会把重点放在工艺水平的提升上，由65纳米技术升级至45纳米。

　　三星增加资本支出使得外界担心其竞争对手会效仿这一做法，从而导致产能提升，使得基准1GB DRAM芯片的价格下滑了15%。根据市场研究公司DrameXchange的数据，在2008年出现了62%的价格下滑并跌至历史低点后，DRAM价格去年翻了3倍多。

　　阪本幸雄表示，尔必达最早将于2012年开始在中国大陆建设第一座工厂。中国今年有望超越日本，成为全球第二大经济体，而中国市场的需求增加以及关税和汇率风险使得在中国建厂成为了必然选择。

　　中国制造

　　从海外进口到中国大陆并被用于本地电子产品的芯片都要缴纳17%的增值税。而英特尔和海力士都已经通过在中国大陆建立工厂的方式避免了这一税收成本。美国市场研究公司iSuppli驻上海分析师凯文·王(Kevin Wang)预计，随着高端市场的增速放缓，中国芯片市场明年的增速将超越全球总体水平。凯文·王说:“中国终端用户对电子产品的需求非常旺盛。”

　　尔必达将于今年12月决定中国的战略，并在4个月内制定一项计划，为台湾瑞晶电子建设第二座工厂。阪本幸雄说，这家工厂将耗资约18亿美元，“我们希望从客户那里获得最多半数的资金”。

　　尔必达过去两年一直处于亏损状态，截至3月31日，该公司负债总额约为6000亿日元。

　　阪本幸雄还表示，该公司计划于明年开始批量生产NAND存储芯片。该公司今年3月从已破产的芯片制造商飞索半导体那里购买了相关技术，过去两个月已经在广岛工厂中对该技术进行了测试。

　　阪本幸雄说:“中国消费的产品应当在中国制造。”(鼎宏)