最新消息9月7日消息 根据TPU的报道，三星的B Die芯片被广泛认为是一种性能优良的DRAM内存，很受超频用户的喜爱，因为它能够以相对较低的时序获得较高的频率。
然而，B Die已经停产，现在三星开始提供其替代品，即采用1z纳米（12-14nm）光刻工艺的A Die芯片。
根据外媒发掘到的信息，三星代号为m378a4g43ab - cvf内存为32 GB的单条DDR4 RAM，运行速度为2933 MHz，时钟为CL21-21-21。
从参数来看，A Die的时序还是有点高的，定位应该不会太高。TPU表示三星的A Die内存还会不断地改进，有望达到比当前更高的性能水平。
