2月15日消息，盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称盛美上海)，一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商，于今日宣布其已接到29台Ultra C wb槽式湿法清洗设备的批量采购订单，该设备可应用于加工300mm晶圆，其中16台设备的重复订单来自同一家中国国内代工厂，重复订单的目的是支持该工厂的扩产。这批设备计划从2022年开始分两个阶段发货。  

盛美上海董事长王晖博士表示:“我们开发槽式湿法系统是为了覆盖更广泛的技术节点下，客户对湿法清洗技术的需求。这笔订单证明了我们以极具竞争力的产品，使公司产品组合完成从先进清洗工艺到全清洗工艺覆盖的策略是正确的。能从客户手中获得这笔重复批量订单证明我们的策略是成功的——因为这笔订单来自同一家代工厂，而且属于槽式湿法清洗市场范畴。这也明确展示了我们的技术实力、日渐稳固的市场领先地位以及满足客户需求的能力。加上盛美上海的先进低压干燥技术，我们的槽式产品几乎可以完成一切使用槽式清洗设备的清洗工艺步骤。”

上文王晖董事长提及的先进干燥技术，就是盛美上海今天宣布推出的用于300mm槽式系统的ULD（超低压干燥）技术。该工艺专门为解决槽式清洗中干燥技术难题而设计，例如先进半导体晶圆上的3D NAND结构及逻辑产品的高宽深比结构在槽式清洗中的干燥问题。盛美上海的新型ULD槽式模块使用低压异丙醇（IPA）干燥工艺来满足大多数槽式清洗干燥工艺的要求，包括炉管前清洗、离子注入后清洗和干法刻蚀后光刻胶去除、化学机械抛光（CMP）后清洗以及薄膜沉积、氧化层刻蚀和氮化物去除等工艺。盛美上海已于2021年第三季度向一家领先的中国存储器半导体制造商交付了首个ULD模块，初步的工艺数据已证明了ULD在先进节点制造中的有效性。

盛美上海Ultra C wb槽式湿法清洗设备简介

Ultra C wb槽式湿法清洗设备的主要清洗应用包括炉管前清洗、RCA清洗、光阻去除、氧化层刻蚀、氮化硅去除，以及晶圆回收工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，和后段BEOL金属层剥离去除。可以配置独立的多种化学液清洗（MCR）模块，按不同的工艺组合在该模块中依次使用多种清洗药液，如SC1、SC2、DHF、DIO3、DIW等。清洗效果好，避免交叉污染，成本低。Ultra C wb槽式湿法清洗设备有效利用化学药液和去离子水（DIW），环境友好。且凭借其精巧的模块化设计，占用空间小的优点，可以在生产车间灵活配置。

盛美上海搭载超低压干燥（ULD）技术的300mm槽式系统简介

该ULD模块利用高温氮气 (N2) 配合高温 IPA，降低晶圆干燥时液膜的表面张力，增加水离开晶圆表面时 IPA 和 DIW 的表面张力梯度。 该模块可降低 IPA/N2 混合中干燥模块环境的压力，加速了 IPA 替代置换 DIW 速率以及 IPA 在晶圆表面的蒸发。 该技术极大地提高了晶圆的干燥性能，尤其是应用于较大深宽比结构和较小图形尺寸的晶圆表面时，极大降低水印和颗粒残留的污染风险，缩短了干燥时间并有效避免了晶圆图形塌陷变形等问题。